- Батареи и аккумуляторы
- Источники питания
- Кабели и коннекторы
- Солнечная техника
- Редукции и конверторы
- Инструменты, инструменты
- Усилители GSM
- Техника безопасности
- Мобильные аксессуары
- Аксессуары для компьютеров
-
Электронные компоненты
- Резисторы
- Конденсаторы
- Индуктивности-Дроссели
- Компоненты для производства катушек
- Кристаллы, Осцилляторы, Резонаторы
- Частотные фильтры
- Колышки, колечки, глазки
- Предохранители, защита от перенапряжений
- Трансформаторы
- Диоды, Выпрямительные мосты
- Транзисторы
- Тиристоры, Триаки, Диаки
- Интегральные схемы
- Датчики неэлектрических величин
- Оптронные компоненты
- Дисплеи, сенсорные экраны
- Акустические преобразователи, Динамики
- Вентиляторы
- Охладители, элементы Пельтье
- Двигатели, Сервомеханизмы
- Реле, контакторы и магнитные контакты
- Mechanicheskije spínajushtshije ėlementy
- Разъемы, переходники
- клеммная колодка
- Провода и кабели
- Мех. конструкционные компоненты
- Конструкционные коробки и ящики
- Целевые конструкционные модули
- Программаторы, Стерители EPROM
- Дискретные полупроводниковые модули
- Аксессуары для полупроводников
- Генераторы высокого напряжения
- Охлаждающие и отопительные системы
- Краб. для попл. оборуд. и датчиков.
- Энкодеры
- Компоненты EMI/EMC
- Одноплатные компьютеры
- Аксессуары для встраиваемой техники.
- Электромонтажный материал
- Горнодобывающая промышленность
- Химия DPS
- Игрушки, конструкторы
- Измерительные приборы
- Осветительная техника
- Дом, Офис
- Защитные средства
- Механические элементы
- Автоматизационная техника
- Робототехника
- Остальные
- Распродажа
Корзина
Войти в интернет магазин
GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » Униполярные транзисторы » С каналом типа N
Транзистор N-MOSFET полевой 950В 3,7А 52Вт DPAK
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEIPD95R1K2P7 |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 2500 |
| Производитель: | INFINEON TECHNOLOGIES |
Описание товара
Транзистор N-MOSFET полевой 950В 3,7А 52Вт DPAK - Описание товара
| Тип транзистора | N-MOSFET |
|---|---|
| Технология | CoolMOS™ P7 |
| Полярность | полевой |
| Напряжение сток-исток | 950В |
| Ток стока | 3.7А |
| Мощность | 52Вт |
| Корпус | DPAK |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Сопротивление в открытом состоянии | 1200мОм |
| Монтаж | SMD |
| Заряд затвора | 15нC |
| Вид упаковки | бобина |
| Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |