Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 600В 38А SP4 Ugs ±20В Idm 130А

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC60HM45SCTG
Упаковка:
Min. quantity: 6
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£140.4 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 6+ ks Более
Цена/шт. £140.42 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 6


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 600В 38А SP4 Ugs ±20В Idm 130А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток600В
Ток стока38А
КорпусSP4
ТопологияН мост
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии45мОм
Ток стока в импульсном режиме130А
Рассеиваемая мощность250Вт
ТехнологияCoolMOS™
ТехнологияSiC
ТехнологияSJ-MOSFET
Напряжение затвор-исток±20В
Механический монтажвинтами