Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы


Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEGD900HFY120P1S
Упаковка:
Min. quantity: 9
Производитель: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.


£265.8 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 9+ ks Более
Цена/шт. £265.79 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 9


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В - Описание товара

ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Обратное напряжение макс.1200В
Ток коллектора900А
КорпусP1.0
Электрический монтажвинтами
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе1800А
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Механический монтажвинтами