GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEGD25PJY120F5S |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 25 |
| Производитель: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Модуль IGBT диод/транзистор Urmax 1200В Ic 25А F5.1 винтами - Описание товара
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Топология | 3-фазный диодный мост |
| Топология | boost chopper |
| Топология | IGBT three-phase bridge OE output |
| Топология | термистор NTC |
| Обратное напряжение макс. | 1200В |
| Ток коллектора | 25А |
| Корпус | F5.1 |
| Электрический монтаж | Press-in PCB |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 50А |
| Технология | Advanced Trench FS IGBT |
| Механический монтаж | винтами |