Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 1кВ 49А SP6C Ugs ±30В Idm 240А

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM100A13SCG
Упаковка:
Min. quantity: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£242.4 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. £242.35 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 1кВ 49А SP6C Ugs ±30В Idm 240А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток1кВ
Ток стока49А
КорпусSP6C
Топологияполумост MOSFET + последовательные диоды + параллельные диоды
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии156мОм
Ток стока в импульсном режиме240А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияPOWER MOS 7®
ТехнологияSiC
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами