Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Интегральные схемы » Воспоминания » Память DRAM


IC память DRAM 16Mx16 бит 3,3В 166МГц 5,4нс TSOP54 II бобина

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAS4C16M16SA-6TANTR
Упаковка:
Min. quantity: 1000
Производитель: ALLIANCE MEMORY


£16.1 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 1000+ ks Более
Цена/шт. £16.11 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 1000


Стоимость доставки

Описание товара

IC память DRAM 16Mx16 бит 3,3В 166МГц 5,4нс TSOP54 II бобина - Описание товара

ПроизводительALLIANCE MEMORY
Тип микросхемыпамять DRAM
Вид памятиSDRAM
Структура памяти16Mx16 бит
Тактовая частота166МГц
Время доступа5,4нс
КорпусTSOP54 II
Емкость памяти256Mб
МонтажSMD
Рабочая температура-40...105°C
Вид упаковкибобина
Рабочее напряжение3,3В