[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 1,7кВ 10А 150Вт TO268HV

Items in stock i 18 pieces
Штрихкод:
Код товара: TMEIXBT16N170AHV
Упаковка:
Min. quantity: 1
Производитель: IXYS


£12.9 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 3+ ks Более
Цена/шт. £9.57 £9.06 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 1,7кВ 10А 150Вт TO268HV - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип транзистораIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Напряжение коллектор-эмиттер1,7кВ
Ток коллектора10А
Рассеиваемая мощность150Вт
КорпусTO268HV
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе40А
МонтажSMD
Заряд затвора65нC
Вид упаковкитуба
Время включения43нс
Время выключения370нс
Характеристики полупроводниковых элементоввысоковольтный