[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 1,7кВ 10А 140Вт TO268

Items in stock i 27 pieces
Штрихкод:
Код товара: TMEIXBT10N170
Упаковка:
Min. quantity: 1
Производитель: IXYS


£7.7 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 5+ ks Более
Цена/шт. £6.43 £6.09 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Транзистор IGBT BiMOSFET™ 1,7кВ 10А 140Вт TO268 - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип транзистораIGBT
ТехнологияBiMOSFET™
Напряжение коллектор-эмиттер1,7кВ
Ток коллектора10А
Рассеиваемая мощность140Вт
КорпусTO268
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе40А
МонтажSMD
Заряд затвора30нC
Вид упаковкитуба
Время включения63нс
Время выключения1,8мкс
Характеристики полупроводниковых элементоввысоковольтный