- Батареи и аккумуляторы
- Источники питания
- Кабели и коннекторы
- Солнечная техника
- Редукции и конверторы
- Инструменты, инструменты
- Усилители GSM
- Техника безопасности
- Мобильные аксессуары
- Аксессуары для компьютеров
-
Электронные компоненты
- Резисторы
- Конденсаторы
- Индуктивности-Дроссели
- Компоненты для производства катушек
- Кристаллы, Осцилляторы, Резонаторы
- Частотные фильтры
- Колышки, колечки, глазки
- Предохранители, защита от перенапряжений
- Трансформаторы
- Диоды, Выпрямительные мосты
- Транзисторы
- Тиристоры, Триаки, Диаки
- Интегральные схемы
- Датчики неэлектрических величин
- Оптронные компоненты
- Дисплеи, сенсорные экраны
- Акустические преобразователи, Динамики
- Вентиляторы
- Охладители, элементы Пельтье
- Двигатели, Сервомеханизмы
- Реле, контакторы и магнитные контакты
- Mechanicheskije spínajushtshije ėlementy
- Разъемы, переходники
- клеммная колодка
- Провода и кабели
- Мех. конструкционные компоненты
- Конструкционные коробки и ящики
- Целевые конструкционные модули
- Программаторы, Стерители EPROM
- Дискретные полупроводниковые модули
- Аксессуары для полупроводников
- Генераторы высокого напряжения
- Охлаждающие и отопительные системы
- Краб. для попл. оборуд. и датчиков.
- Энкодеры
- Компоненты EMI/EMC
- Одноплатные компьютеры
- Аксессуары для встраиваемой техники.
- Электромонтажный материал
- Горнодобывающая промышленность
- Химия DPS
- Игрушки, конструкторы
- Измерительные приборы
- Осветительная техника
- Дом, Офис
- Защитные средства
- Механические элементы
- Автоматизационная техника
- Робототехника
- Остальные
- Распродажа
Корзина
Войти в интернет магазин
GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы
Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 1,2кВ Ic 26А SOT227B
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPT35GP120JDQ2 |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 1 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Описание товара
Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 1,2кВ Ic 26А SOT227B - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Обратное напряжение макс. | 1,2кВ |
| Ток коллектора | 26А |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±30В |
| Ток коллектора в импульсе | 140А |
| Технология | POWER MOS 7® |
| Технология | PT |
| Механический монтаж | винтами |