GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEIXFN200N10P |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 1 |
| Производитель: | IXYS |
Модуль одиночный транзистор 100В 200А SOT227B Ugs ±30В 680Вт - Описание товара
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Ток стока | 200А |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 7,5мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | 400А |
| Рассеиваемая мощность | 680Вт |
| Технология | HiPerFET™ |
| Технология | Polar™ |
| Вид канала | обогащенный |
| Заряд затвора | 235нC |
| Время готовности | 150нс |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Механический монтаж | винтами |