[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEGD800HFY120C3S
Упаковка:
Min. quantity: 8
Производитель: STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.


£328.5 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 8+ ks Более
Цена/шт. £328.54 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 8


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1200В - Описание товара

ПроизводительSTARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Обратное напряжение макс.1200В
Ток коллектора800А
КорпусC3 130mm
Электрический монтажвинтами
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе1600А
ТехнологияAdvanced Trench FS IGBT
Механический монтажвинтами