[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT200A120D3G
Упаковка:
Min. quantity: 5
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£201 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. £201.03 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 5


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор полумост IGBT Urmax 1,2кВ - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Топологияполумост IGBT
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора200А
КорпусD3
Применениедвигатели
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе400А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами