GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEGD30PJX65L2S |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 1 |
| Производитель: | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
Модуль IGBT диод/транзистор Urmax 650В Ic 30А L2.2 винтами - Описание товара
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. |
|---|---|
| Тип модуля | IGBT |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Топология | 3-фазный диодный мост |
| Топология | boost chopper |
| Топология | IGBT three-phase bridge OE output |
| Топология | термистор NTC |
| Обратное напряжение макс. | 650В |
| Ток коллектора | 30А |
| Корпус | L2.2 |
| Электрический монтаж | Press-in PCB |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20В |
| Ток коллектора в импульсе | 60А |
| Технология | Trench FS IGBT |
| Механический монтаж | винтами |