GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEAPTM100UM65SAG |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 4 |
| Производитель: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Модуль диод/транзистор 1кВ 110А SP6C Ugs ±30В Idm 580А - Описание товара
| Производитель | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | диод/транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1кВ |
| Ток стока | 110А |
| Корпус | SP6C |
| Топология | одиночный транзистор + последовательный диод + параллельный диод |
| Электрический монтаж | винтами |
| Электрический монтаж | коннекторы FASTON |
| Сопротивление в открытом состоянии | 78мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | 580А |
| Рассеиваемая мощность | 3,25кВт |
| Технология | POWER MOS 7® |
| Напряжение затвор-исток | ±30В |
| Механический монтаж | винтами |