GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Availability | Only per order |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEIXTN120P20T |
| Упаковка: | |
| Min. quantity: | 1 |
| Производитель: | IXYS |
Модуль одиночный транзистор -200В -106А SOT227B Ugs ±15В - Описание товара
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | -200В |
| Ток стока | -106А |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 30мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | -400А |
| Рассеиваемая мощность | 830Вт |
| Технология | TrenchP™ |
| Вид канала | обогащенный |
| Заряд затвора | 740нC |
| Время готовности | 300нс |
| Напряжение затвор-исток | ±15В |
| Механический монтаж | винтами |