Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод SiC/транзистор 800В 21А SP4 Ugs ±30В Idm 112А

Availability Sales terminated
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTC80A15SCTG
Упаковка:
Min. quantity: 9
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

(Цена с НДС) на заказ

Количество

Min. quantity: 9


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 800В 21А SP4 Ugs ±30В Idm 112А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток800В
Ток стока21А
КорпусSP4
Топологияполумост MOSFET
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии150мОм
Ток стока в импульсном режиме112А
Рассеиваемая мощность277Вт
ТехнологияCoolMOS™
ТехнологияSiC
ТехнологияSJ-MOSFET
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами