[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET

Модуль транзистор/транзистор 100В 207А SP6C Топология Н мост

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM10HM05FG
Упаковка:
Min. quantity: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£280.3 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. £280.34 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль транзистор/транзистор 100В 207А SP6C Топология Н мост - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодатранзистор/транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока207А
КорпусSP6C
ТопологияН мост
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии5мОм
Ток стока в импульсном режиме1100А
Рассеиваемая мощность780Вт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами