Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 100В 429А SP6C Ugs ±30В 1,66кВт

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM10UM02FAG
Упаковка:
Min. quantity: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£236.3 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. £236.29 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 100В 429А SP6C Ugs ±30В 1,66кВт - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока429А
КорпусSP6C
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии2,5мОм
Ток стока в импульсном режиме1900А
Рассеиваемая мощность1,66кВт
ТехнологияFREDFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами