Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 100В 360А SOT227B Ugs ±30В 830Вт

Items in stock i 230 pieces
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN360N10T
Упаковка:
Min. quantity: 1
Производитель: IXYS


£22.1 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 2+ ks 10+ ks Более
Цена/шт. £20.87 £20.75 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 100В 360А SOT227B Ugs ±30В 830Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток100В
Ток стока360А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии2,6мОм
Ток стока в импульсном режиме900А
Рассеиваемая мощность830Вт
ТехнологияGigaMOS™
ТехнологияHiPerFET™
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора525нC
Время готовности130нс
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами