[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET

Модуль диод SiC/транзистор 1,2кВ 220А SP3F Press-in PCB SiC

Availability Sales terminated
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTMC120AM09CT3AG
Упаковка:
Min. quantity: 1
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

(Цена с НДС) на заказ

Количество

Min. quantity: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод SiC/транзистор 1,2кВ 220А SP3F Press-in PCB SiC - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток1,2кВ
Ток стока220А
КорпусSP3F
Топологияполумост MOSFET
Топологиятермистор NTC
Электрический монтажPress-in PCB
Сопротивление в открытом состоянии9мОм
Ток стока в импульсном режиме590А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияSiC
Механический монтажвинтами