[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 650В Ic 200А

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGLQ200H65G
Упаковка:
Min. quantity: 5
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£210.8 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. £210.79 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 5


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 650В Ic 200А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
ТопологияН мост
Обратное напряжение макс.650В
Ток коллектора200А
КорпусSP6C
Применениедвигатели
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе540А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами