[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

IGBT Транзисторы

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Транзисторы » IGBT Транзисторы

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 150А

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTGT150H120G
Упаковка:
Min. quantity: 4
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£247.5 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 4+ ks Более
Цена/шт. £247.47 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 4


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT транзистор/транзистор Н мост Urmax 1,2кВ Ic 150А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодатранзистор/транзистор
ТопологияН мост
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора150А
КорпусSP6C
Применениедвигатели
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Напряжение затвор - эмиттер±20В
Ток коллектора в импульсе350А
ТехнологияField Stop
ТехнологияTrench
Механический монтажвинтами