[ Расширенный поиск ]


Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

[ зарегистрироваться ]

Модули IGBT

Модули IGBT

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » Модули IGBT

Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 1,2кВ Ic 50А SOT227B

Availability Only per order
Штрихкод:
Код товара: TMEAPT50GR120JD30
Упаковка:
Min. quantity: 1
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)


£31.4 Цена без НДС

Select the transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 10+ ks 20+ ks Более
Цена/шт. £29.86 £29.73 Цена по запросу

Количество

Min. quantity: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль IGBT одиночный транзистор Urmax 1,2кВ Ic 50А SOT227B - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляIGBT
Конструкция диодаодиночный транзистор
Обратное напряжение макс.1,2кВ
Ток коллектора50А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Напряжение затвор - эмиттер±30В
Ток коллектора в импульсе200А
ТехнологияNPT
ТехнологияNPT Ultra Fast IGBT
ТехнологияPOWER MOS 8®
Механический монтажвинтами